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    射頻離子源 RFICP 220
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    射頻離子源 RFICP 220

    KRI 射頻離子源 RFICP 220
    上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

    KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

    型號

    RFICP 220

    Discharge 陽極

    RF 射頻

    離子束流

    >800 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    20 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    10-40 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    30 cm

    直徑

    41 cm

    中和器

    LFN 2000


    KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域:
    預清洗
    表面改性
    輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
    濺鍍和蒸發鍍膜 PC
    離子濺射沉積和多層結構 IBSD
    離子蝕刻 IBE

    若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
    上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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