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    射頻離子源 RFICP 100
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    射頻離子源 RFICP 100

    KRI 射頻離子源 RFICP 100
    上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

    KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

    型號

    RFICP 100

    Discharge 陽極

    RF 射頻

    離子束流

    >350 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    10 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    5-30 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    23.5 cm

    直徑

    19.1 cm

    中和器

    LFN 2000

    KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
    預清洗
    表面改性
    輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
    濺鍍和蒸發鍍膜 PC
    離子濺射沉積和多層結構 IBSD
    離子蝕刻 IBE

    客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置如下
    美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
    美國 HVA 真空閘閥
    德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
    射頻離子源

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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