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    KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
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    KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝

    KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
    離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機的核心部件. 上海伯東美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用于光學鍍膜離子束拋光機  IBF Optical coating  及晶體硅片離子束拋光機  IBF Clrystalline )工藝.
    考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源于離子拋光機內部的移動運行. 上海伯東是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理.

    KRI 離子源離子束拋光實際案例一:
    1. 基材: 100 mm 光學鏡片
    2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).

    離子束拋光前平坦度影像呈現圖
    KRI 離子源應用

    離子束拋光后平坦度影像呈現圖KRI 離子源應用


    KRI 離子源離子束拋光實際案例:
    1. 基材: 300 mm 晶體硅片
    2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )

    離子束拋光前平坦度影像呈現圖
    離子源離子拋光

    離子束拋光后平坦度影像呈現圖離子源離子拋光

     
    KRI 離子源實際安裝案例一:  KDC 10 使用于光學鍍膜離子束拋光機
    離子源 KDC 10
    KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用于晶體硅片離子束拋光機
    離子源 KDC 40

    上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:

    型號

    KDC 10

    KDC 40

    KDC 75

    KDC 100

    KDC 160

    電壓

    DC magnetic confinement

    - 陰極燈絲

    1

    1

    2

    2

    2

    - 陽極電壓

    0-100V DC

    電子束

    電子束

    - 柵極

    專用,自對準

    - 柵極直徑

    1 cm

    4 cm

    7.5 cm

    12 cm

    16 cm


    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

    若您需要進一步的了解 KRI 考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
    上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
    M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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