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    霍爾效應測量系統 HEMS
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    霍爾效應測量系統 HEMS

    HEMS 霍爾效應測量系統
    上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 HEMS 霍爾效應測量系統, 多樣品實驗, 非常適合材料研究等應用.

    HEMS 霍爾效應測量系統特點
    多樣品實驗, van der Pauw 4接觸點 ; Hall Bar 6接觸點
    廣泛的材料: GaAs, lnP, lnAs, Si, Ge, SiGe, HgCdTe, GaN, SiC, AIN, 金屬氧化物和有機導體
    非常適合于材料研究, 產品開發和質量控制
    樣品電阻率, 電阻率, 霍爾系數, 霍爾遷移率, 載流子濃度或電流電壓特性
    Windows 操作系統用于系統操作, 數據采集和分析

    HEMS  霍爾效應測量系統可以測量
    移動測量
    載流子測量
    電阻率測量
    Van der Pauw 測量
    Hall Bar 測量

    HEMS  霍爾效應測量系統極帽
    可調極帽
    25mm 面鉆
    連續可調 0-1, 30mm 的極隙
    可選 50mm, 75mm 更大的鉆心

    電磁鐵:
    ±2.ST@ I 0mm 間隙與 25mm 桿面
    ±35V, ±70A 線圈
    磁場 > ±IT @ 25mm 極隙
    磁場強度高, 磁極間距大
    串聯線圈電阻: 0.5 0 ( 20℃ )
    水冷

    HEMS  霍爾效應測量系統樣品臺:
    彈簧加載設計選項
    Van der Pauw 設計測量
    四、六、八觸點廳桿測量設計
    容易安裝樣品與彈簧銷
    多個樣品安裝

     

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