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    霍爾效應測量磁場應用
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    霍爾效應測量磁場應用

    低溫霍爾效應測量磁場應用 KANG Static Insert SN 150
    上海伯東代理英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量系統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. 可用于測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的必備工具.

    如下是某知名大學低溫霍爾效應測量案例
    1. 測試樣品: NMI 標準樣品, P15-A
    2. 應用電流 1e- 4a
    3. VDP 測量的外加磁場為 1T
    4. 在 1.5K 時, 磁場掃描 為 0 - 5T - 0 循環

    霍爾效應測試儀器

    霍爾效應測試儀

    英國 NanoMagnetics 霍爾效應測試儀
    電阻率測量范圍: 10-4 至 109 Ω-cm
    遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec
    濃度: 107 至 1021 per cm3
    電源: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
    最小霍爾電壓測量: 0.1 μV

    支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
    磁場: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
    溫度范圍在 80 - 750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統
    Pt - 100 電阻溫度計, 750 K 加熱器, PID 溫控
    樣品尺寸 從 5 x 5 mm 至 15 mm x 15 mm 并且厚度 < 2 mm


    英國 NanoMagnetics 霍爾效應測量系統, 電阻測量結果

    300K 時 電阻測量結果

    電阻溫度圖

    ContactLead
    [I+I-V+V-]

    Resistance

    [Ohm]

    低溫霍爾效應測量磁場應用

    1-2-1-2

    3.62E +03

    3-4-3-4

    3.62E +03

    1-3-1-3

    3.87E +03

    2-4-2-4

    3.93E +03

    *1-2 和 3-4 電阻幾乎相同. 1-3 和2-4 ( 對角線 ) 電阻幾乎相同

    冷卻和加熱圖顯示了相同的結果, 因此, 塞諾克斯傳感器和樣品根據靜態插入的位置是合適的, 否則圖就不一樣了. 此外,測量結果是可重復的. [I+I-V+V-] 觸點引線為 [1-2-4-3]


    在 1.5K 時霍爾效應 Van der Pauw 測量結果

    接觸頭

    [I+I-V+V-]

    電阻率

    [Ohm.cm]

    Sh.電阻

    [Ohm/sq]

    Carr.Density

    [/cc]

    HallCoeff.

    [cc/C]

    Mobility

    [cm^2/(V.s)]

    CarrType

    [+/-]

    1-2-3-4

    3.54E - 04

    3.54E + 02

    6.00E + 17

    1.04E + 01

    2.94E + 04

    -1.00E +00

    2-3-4-1

    3.54E - 04

    3.54E + 02

    6.00E + 17

    1.04E + 01

    2.94E + 04

    -1.00E +00


    電阻磁場圖
    電阻磁場圖-霍爾效應測量系統
    霍爾系數 - 溫度圖
    霍爾系數-霍爾效應測量系統
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